事关7nm芯片，中芯国际正式表态！

随着硬件水平的不断发展，芯片工艺已经发展到了5nm时代，并且台积电、三星都公布了其3nm、2nm计划。虽然说5nm、3nm甚至2nm工艺能集成更多的晶体管，并会带来性能方面的大幅提升，但是在当下主流的手机市场，尤其是5nm工艺骁龙888翻车之后，7nm工艺芯片成了安卓阵营最受欢迎的处理器。并且7nm工艺芯片的用途相当广，只要掌握7nm，国产手机芯片、PC处理器就都能实现自给自足。

但是，目前全球能掌握7nm制程工艺的只有三星和台电，英特尔虽然公布了其工艺发展蓝图，但2022年才有望实现生产。不少网友表示，我国进步最快的中芯国际，什么时候才能实现7nm工艺芯片的量产呢？

去年中芯国际就对外宣布，早已完成了对7nm工艺的研发任务，很快将就会进入试生产阶段，但这几个月，关于国产7nm，中芯国际久久没有消息。

不过，近日中芯国际也对外放出了一些消息，一方面是关于中芯国际第二季度的营收、产能数据，另一方面就是关于将7nm制程工艺的回应。

首先，在FinFET工艺产能方面，中芯国际表示已经达产，每月1.5万片，产能基本满载，并且客户多样化，不同的产品都导入了，新客户在不断的进来。要知道，FinFET工艺是当下三星、台积电5nm及更成熟工艺所应用到的技术，而中芯国际FinFET则包含了14nm、12nm和N+1、N+2工艺。

据悉，N+1工艺已经量产，与现有的14nm工艺相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积减少了63%，相当于台积电“残血版”7nm工艺，而N+2工艺则比N+1性能更强，消息称，今年年底中芯国际就将进入N+2工艺风险试产阶段。

其次，即便年底将试生产N+2制程工艺，但中芯国际梁孟松表示，集成电路没有弯道式超车和跳跃式前进。这说明，中芯国际几乎不会从14nm跳跃式发展到7nm，7nm很可能会放在N+2工艺之后，中间将会插入12nm、10nm等。更重要的是，在7nm领域，台积电、三星的良品率已经很高，中芯国际快速步入7nm阶段与台积电、三星竞赛，明显非常吃亏。

更何况，打造更先进的工艺，会大幅增加研发上的投入成本，而现阶段中国半导体需要的是稳步发展，尤其当全球陷入“缺芯潮”，晶圆开始涨价，此事提高成熟工艺产能，解决芯片供应问题、提高企业营收是当务之急，这才能推动中芯国际向更先进制程迈进。

其实，在先进工艺方面，中芯国际还无法摆脱对美国技术的依赖，并且在采购ASML光刻机方面还面临着美国的重重阻挠，但是，中芯国际在成熟工艺方面正在克服困难，摆脱因为美国方面所带来的不确定性，并且也在加速设备的安装，毕竟相对于台积电、三星而言，产能还非常低，并且14nm工艺居多。

相信在国家利好政策，2025年自给率70%的铁令面前，中芯国际N+1、N+2、7nm制程能快速并稳步实现突破。